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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外加片产生机构,因产生具体步骤中操作砷化镓、磷化正确处理铟等III-V族化学物质,废水内含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,设计制作正确处理投资规模1200吨/日。 电镀废水化学成分及来源于 MOCVD产品的洗涤废气 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机化学轻金属无机化合物 裁切抛光废水处理方法 :含纳米级级五金科粒 电镀锌废液 :含铜、镍等重金属阴阳离子 工作工艺步骤流程步骤流程 自主创新应用"钝化破络+血本属收集+膜分离处理"组合式加工制作工艺 : 预加工摸块 :添加亚硫酸氢钠工业制硝酸生物碳金属材料络合物 中心解决單元 : 适用DTCR高价属气体吸附剂出现不可溶性螯合物 超滤膜设备(UF)挤占大原子造成的大气污染物 反加入(RO)脱盐率>98% 飞灰治理 第一单元 :离心分离过滤后全权负责危废解决解决主加工 最后疗效 经第三点方检则: 总砷的含量:0.05mg/L(标准0.5mg/L) 镉份量:0.01mg/L(国际标准0.1mg/L) 水中水回用率:75% 启动成本低:3.8元/吨水

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