某光电器件IC芯片制造出厂在晶圆制作操作过程中，操作硅烷做硅外加繁殖，烟气洗滌塔造成高浓硫酸浓度含硅废水进行处理进行处理。废水进行处理进行处理体现了pH上下波动大（2-11）、硅浓度高的特质，传统化进行处理方案易会出现硅垢拥堵困难。 废渣组成成分及主要来源 污水核心组成为： 消融性硅酸盐 ：SiO₂渗透压达1000-1500mg/L 氢氧化的钠/氢氧化的钠 ：干洗塔酸碱度干洗液残渣 粉末硅 ：納米级SiO₂悬浊液 痕量砷 ：工业原料杂质残渣带去 加工处理技艺流程图 创新发展应用"有级结合+膜过滤程序+蒸发器析出"施工工艺： 特一级与 ：用CaO控制pH至4-5，添加硅酸钙析出，硅洗去率60%。 2级结合 ：加Na₂CO₃将pH升高至9，进的一步积淀乘余硅，串联用镁剂除砷。 反渗透膜体统 ：0.02μm工业陶瓷膜滤过nm级硅小粒，通量相对稳定在80LMH。 MVR蒸发掉器 ：萃取高盐废水处理，析出出Na₂SO₄副的产品，水工业废水处理率超90%。 决定性效率 总硅从1500mg/L降到5mg/L接下来 砷硫含量从0.8mg/L减至0.01mg/L 系統无水垢运作超出2年 常年再利用氢氧化钾钠单晶体约800吨